Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 20ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,65 V
- RS Best.-Nr.:
- 125-4222
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25CL64B-G
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 48 | CHF.2.636 | CHF.5.27 |
| 50 - 98 | CHF.2.562 | CHF.5.14 |
| 100 - 498 | CHF.2.31 | CHF.4.61 |
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- RS Best.-Nr.:
- 125-4222
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25CL64B-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 64kbit | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Interface-Typ | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 20ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,65 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 64kbit | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Interface-Typ SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 20ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,65 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
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