Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 25ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 3 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 181-7565
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064Q-SXE
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.935 | CHF.9.86 |
| 20 - 48 | CHF.3.98 | CHF.7.96 |
| 50 - 98 | CHF.3.896 | CHF.7.79 |
| 100 - 198 | CHF.3.885 | CHF.7.78 |
| 200 + | CHF.3.465 | CHF.6.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 181-7565
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064Q-SXE
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 64kbit | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Interface-Typ | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 25ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 64kbit | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Interface-Typ Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 25ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 3 V | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
64-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 8K x 8
10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und
Dauerhaltungstabelle)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 16 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
6° A (typ.) Standby-Strom bei +85° C
Niederspannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Organisiert als 8K x 8
10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und
Dauerhaltungstabelle)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 16 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
6° A (typ.) Standby-Strom bei +85° C
Niederspannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
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