Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 25ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 3 V bis 3,6 V

Zwischensumme (1 Stange mit 97 Stück)*

CHF.421.659

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 388 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
97 +CHF.4.347CHF.421.16

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
181-7439
Herst. Teile-Nr.:
CY15B064Q-SXE
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Speicher Größe

64kbit

Organisation

8K x 8 bit

Interface-Typ

Seriell-SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

25ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Länge

4.97mm

Breite

3.98mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Höhe

1.48mm

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

8K

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Arbeitsspannnung min.

3 V

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

64-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 8K x 8
10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und
Dauerhaltungstabelle)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 16 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
6° A (typ.) Standby-Strom bei +85° C
Niederspannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

Verwandte Links