Infineon FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit 20 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4228P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25W256-G
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.44.94
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 49 | CHF.4.49 |
| 50 - 99 | CHF.4.37 |
| 100 - 499 | CHF.4.26 |
| 500 + | CHF.4.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-4228P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25W256-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 32K x 8 Bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 20ns | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.38mm | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 32K x 8 Bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 20ns | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.38mm | ||
Breite 3.98 mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.