Infineon FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit 70 ns Parallel Oberfläche SOIC 28-Pin

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125-4205
Herst. Teile-Nr.:
FM18W08-SG
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

256kB

Organisation

32K x 8 Bit

Schnittstellentyp

Parallel

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

70ns

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

1MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

28

Breite

7.62 mm

Länge

18.11mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.37mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

32k

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Hohe Schreibgeschwindigkeit

Lange Lebensdauer

Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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