Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5395
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5395
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4 kB | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Zugriffszeit max. | 3000 ns | |
| Schnittstellentyp | Serial-I2C (2-Draht) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Datenbus-Breite | 8 bit | |
| Höhe | 1.48 mm | |
| Länge | 4.97 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4 kB | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Zugriffszeit max. 3000 ns | ||
Schnittstellentyp Serial-I2C (2-Draht) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Datenbus-Breite 8 bit | ||
Höhe 1.48 mm | ||
Länge 4.97 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Breite 3.98 mm | ||
- Ursprungsland:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore Ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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