Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5395
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5395
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Serial-I2C (2-Draht) | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 3000ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 4.97mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Breite | 3.98mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Serial-I2C (2-Draht) | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 3000ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 4.97mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Breite 3.98mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
- Ursprungsland:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nichtflüchtigen RAMs sowohl für serielle als auch für parallele Schnittstellen. Teile mit dem Suffix A sind für Automobilanwendungen konzipiert und AEC-Q100 qualifiziert.
Nichtflüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Schnelle Schreibgeschwindigkeit
Hohe Ausdauer
Niedriger Energiebedarf
FRAM (ferroelektrischer RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ferroelektrische Folie als Kondensator zur Speicherung von Daten verwendet. F-RAM verfügt über Eigenschaften von ROM- und RAM-Geräten und verfügt über einen schnellen Zugriff, eine hohe Ausdauer im Schreibmodus, einen geringen Stromverbrauch, Nichtflüchtigkeit und ausgezeichnete Manipulationssicherheit. Er ist daher der ideale Speicher für den Einsatz in Smartkarten, die eine hohe Sicherheit und einen geringen Stromverbrauch erfordern, sowie in Mobiltelefonen und anderen Geräten.
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