Infineon FRAM-Speicher 1MBit, 128.000 x 8 Bit 18ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V

Dieser FRAM-Speicher ist für Hochgeschwindigkeits-Datenspeicherlösungen konzipiert und verfügt über eine Speichergröße von 1 Mbit, die als 128K x 8 Bit organisiert ist. Durch die Oberflächenmontagetechnologie ist eine einfache Integration in verschiedene elektronische Systeme möglich. Die kompakten Abmessungen von 4,97 mm x 3,98 mm x 1,47 mm bieten Vielseitigkeit für platzkritische Anwendungen.

• Schnelle Schreibvorgänge ohne Verzögerungen erhöhen die Effizienz
• Unterstützt bis zu 40MHz SPI-Schnittstelle für Hochgeschwindigkeits-Speicherzugriff
• AEC-Q100-konform, gewährleistet zuverlässige Speicherlösungen für die Automobilindustrie
• Erweiterter Schreibschutz verhindert versehentliche Datenänderungen

• Integriert in Kfz-Kontrollsysteme zur Datenaufzeichnung
• Einsatz in der industriellen Automatisierung zur schnellen Datenerfassung
• Ideal für medizinische Geräte, die eine nichtflüchtige Speicherung erfordern
• Einsatz in der Unterhaltungselektronik zur Leistungssteigerung
• Einsatz in IoT-Geräten zur zuverlässigen Speicherung von Daten

Die Fähigkeit, schnelle Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durchzuführen, stellt sicher, dass Daten in industriellen Umgebungen schnell erfasst werden können, wodurch das Risiko von Datenverlusten in zeitkritischen Szenarien verringert wird. Seine robuste Schreibbeständigkeit von 100 Billionen Zyklen unterstützt zudem die häufige Datenaufzeichnung.

Er arbeitet effizient und verbraucht im aktiven Zustand nur 300μA und im Sleep-Modus nur 5μA. Dieser niedrige Strombedarf macht ihn ideal für batteriebetriebene Geräte oder Anwendungen, bei denen die Energieeffizienz entscheidend ist.

Der ausgeklügelte Schreibschutzmechanismus umfasst sowohl Hardware- als auch Software-Kontrollen, die unbeabsichtigte Schreibvorgänge verhindern und sicherstellen, dass kritische Daten vor versehentlichen Änderungen geschützt sind, was in unternehmenskritischen Systemen unerlässlich ist.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.