- RS Best.-Nr.:
- 188-5426
- Herst. Teile-Nr.:
- FM28V020-SG
- Marke:
- Infineon
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Voraussichtlich ab 15.02.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer Stange von 27)
CHF.11.834
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
27 - 27 | CHF.11.834 | CHF.319.421 |
54 - 81 | CHF.11.676 | CHF.315.336 |
108 - 243 | CHF.10.416 | CHF.281.232 |
270 - 486 | CHF.10.143 | CHF.273.809 |
513 + | CHF.9.891 | CHF.266.942 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 188-5426
- Herst. Teile-Nr.:
- FM28V020-SG
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
256-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 32 K ´ 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
32 K ´ 8 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
70 ns Zugriffszeit, 140 ns Zykluszeit
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Beständig gegen negative Spannungsunterschreitungen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 5 mA (typ.)
Standby-Strom: 90 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse:
28-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
28-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I
32-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
32 K ´ 8 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
70 ns Zugriffszeit, 140 ns Zykluszeit
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Beständig gegen negative Spannungsunterschreitungen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 5 mA (typ.)
Standby-Strom: 90 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse:
28-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
28-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I
32-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
Speicher Größe | 256kbit |
Organisation | 32K x 8 bit |
Interface-Typ | Parallel |
Datenbus-Breite | 8bit |
Zugriffszeit max. | 70ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 28 |
Abmessungen | 18.11 x 7.62 x 2.37mm |
Länge | 18.11mm |
Breite | 7.62mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Höhe | 2.37mm |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2 V |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Anzahl der Wörter | 32k |
Automobilstandard | AEC-Q100 |
Voraussichtlich ab 15.02.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer Stange von 27)
CHF.11.834
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
27 - 27 | CHF.11.834 | CHF.319.421 |
54 - 81 | CHF.11.676 | CHF.315.336 |
108 - 243 | CHF.10.416 | CHF.281.232 |
270 - 486 | CHF.10.143 | CHF.273.809 |
513 + | CHF.9.891 | CHF.266.942 |
*Bitte VPE beachten |