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    Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit 70ns Parallel SMD SOIC 28-Pin 2 V bis 3,6 V

    Infineon
    RS Best.-Nr.:
    188-5426
    Herst. Teile-Nr.:
    FM28V020-SG
    Marke:
    Infineon
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    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    US

    Produktdetails

    F-RAM, Cypress Semiconductor


    Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

    Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
    Hohe Schreibgeschwindigkeit
    Lange Lebensdauer
    Geringer Stromverbrauch

    256-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 32 K ´ 8
    Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
    151 Jahre Datenspeicherung
    NODELAY ® schreibt
    Seitenmodusbetrieb
    Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
    SRAM-kompatibel
    32 K ´ 8 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
    70 ns Zugriffszeit, 140 ns Zykluszeit
    Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
    Keine Probleme mit der Batterie
    Monolithische Zuverlässigkeit
    Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
    Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
    Beständig gegen negative Spannungsunterschreitungen
    Geringer Stromverbrauch
    Wirkstrom: 5 mA (typ.)
    Standby-Strom: 90 μA (typ.)
    Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
    Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
    Gehäuse:
    28-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
    28-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I
    32-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I


    FRAM (Ferroelectric RAM)


    FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Speicher Größe256kbit
    Organisation32K x 8 bit
    Interface-TypParallel
    Datenbus-Breite8bit
    Zugriffszeit max.70ns
    Montage-TypSMD
    GehäusegrößeSOIC
    Pinanzahl28
    Abmessungen18.11 x 7.62 x 2.37mm
    Länge18.11mm
    Breite7.62mm
    Arbeitsspannnung max.3,6 V
    Höhe2.37mm
    Betriebstemperatur max.+85 °C
    Betriebstemperatur min.–40 °C
    Arbeitsspannnung min.2 V
    Anzahl der Bits pro Wort8bit
    Anzahl der Wörter32k
    AutomobilstandardAEC-Q100
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