STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 152-011
- Herst. Teile-Nr.:
- L6385ED013TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.2'070.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF 0.828 | CHF 2'060.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-011
- Herst. Teile-Nr.:
- L6385ED013TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 650mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 50ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 17V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Serie | L6385ED013TR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 650mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 50ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 17V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 17V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Serie L6385ED013TR | ||
Montageart Oberfläche | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der einfache und kompakte Hochspannungs-Gate-Treiber von STMicroelectronics, der mit der BCD-„Offline-Technologie hergestellt wird und eine halbe Brücke von Leistungs-MOSFET- oder IGBT-Geräten antreiben kann. Der hochseitige (schwimmende) Abschnitt ist in der Lage, mit Spannungsschienen bis zu 600 V zu arbeiten. Beide Geräteausgänge können unabhängig voneinander 650 mA bzw. 400 mA senken und liefern und können gleichzeitig hoch angetrieben werden, um asymmetrische Halbbrückenkonfigurationen zu betreiben.
Unterspannungsverriegelung am unteren und oberen Antriebsabschnitt
Interne Bootstrap-Diode
Ausgänge in Phasen mit Eingängen
Verwandte Links
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17V 30 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17V 40 ns
- Infineon Gate-Treiber-Modul High-Side 6 A 2 14-Pin PG-DSO-14-71 17V 20 ns
- Infineon Gate-Treiber High-Side 4 A 8-Pin SOIC-8 20V 18 ns
- Infineon Gate-Treiber High-Side 2.3 A 8-Pin SOIC 600V 20 ns
- Infineon Gate-Treiber-Modul High-Side 1.8 A 8-Pin SOIC 600V 20 ns
- Infineon Gate-Treiber-Modul High-Side 600 A 8-Pin SOIC 20V 30 ns
- Microchip Gate-Treiber High-Side 6 mA 1 8-Pin DIP 36V 400 ns
