Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 600 mA 8-Pin SOIC 20V 30 ns

RS Best.-Nr.:: 258-4000
Herst. Teile-Nr.:: IRS2005STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 600 mA 8-Pin SOIC 20V 30 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-4000
Herst. Teile-Nr.:: IRS2005STRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber-IC
	Ausgangsstrom	600mA
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	30ns
	Treiber-Typ	Gate-Treiber
	Anstiegszeit	170ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Maximale Versorgungsspannung	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Normen/Zulassungen	RoHS Compliant
	Serie	IRS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber-IC
	Ausgangsstrom 600mA
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 30ns
	Treiber-Typ Gate-Treiber
	Anstiegszeit 170ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Maximale Versorgungsspannung 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Normen/Zulassungen RoHS Compliant
	Serie IRS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS2005STRPBF

Gate-Treiber-IC der IRS-Serie von Infineon, 0,60 A Ausgangsstrom, SOIC-Gehäuse – IRS2005STRPBF

Dieser Gate-Treiber-IC bietet einen Gate-Treiber für Leistungs-MOSFETs und ähnliche Schaltgeräte in einer Niederspannungsversorgungsumgebung. Er arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V und ist für industrielle Anwendungen vorgesehen, die ein kompaktes 8-poliges SOIC-Gehäuse und eine erweiterte Umgebungstemperaturfähigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 0,60 A Ausgangsstrom liefert zuverlässige MOSFET-Gate-Schaltleistung
• Die minimale Versorgung von 10 V ermöglicht den Betrieb über gängige Schienen
• Die maximale Versorgung von 20 V toleriert höhere Gate-Drive-Spannungen für einen breiteren Einsatz
• 170 ns Anstiegszeit unterstützt kontrolliertes Einschalten zur Reduzierung von Überschlägen
• Die Abfallzeit von 30 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltung für effizientes Schalten

Anwendungsbereich

• Einsatz mit Leistungs-MOSFETs in industriellen Wandlern
• Geeignet für Niederspannungs-Motorantriebs-Gate-Stufen
• Ideal für Schaltstufen in Stromversorgungsmodulen
• Kann zur Gate-Steuerung bei DC/DC-Umwandlung verwendet werden

Welches Gehäuse und welche Anzahl von Pins sollte ich für das Leiterplatten-Layout erwarten?

Das Gerät wird in einem 8-poligen SOIC geliefert, der für Standard-Durchsteck-Erdungsmuster und kompakte Oberflächenmontage-Layouts geeignet ist.

Welchen Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C ausgelegt, um anspruchsvollen thermischen Umgebungen gerecht zu werden.

Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf das Systemdesign aus?

Die angegebene Anstiegszeit von 170 ns und die Abfallzeit von 30 ns beeinflussen das Timing der Gate-Ladung und Schaltverluste und informieren über die Auswahl von Snubbern und Gate-Widerständen.

Ist dieses Teil für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?

Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität spezifiziert und sollte entsprechend für Fahrzeuganwendungen bewertet werden.