Infineon Gate-Treiber-Modul High-Side 2 A 16-Pin SOIC 20 V 17 ns

Die Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber von Infineon mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Die Ausbreitungsverzögerungen sind abgestimmt, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 500 V oder 600 V betrieben wird.

Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 V bis 20 V