Infineon IRS2181STRPBF Gate-Treiber-Modul High-Side 1.8 A 8-Pin SOIC 600 V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-4010
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2181STRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.659 | CHF.3.32 |
| 20 - 48 | CHF.1.449 | CHF.2.90 |
| 50 - 98 | CHF.1.344 | CHF.2.68 |
| 100 - 198 | CHF.1.26 | CHF.2.52 |
| 200 + | CHF.1.155 | CHF.2.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-4010
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2181STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 1.8A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anstiegszeit | 60ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 1.8A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anstiegszeit 60ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die High-Side- und Low-Side-Treiber von Infineon sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 V betrieben wird.
Schwimmender Kanal für Bootstrap-Betrieb
Vollständig betriebsbereit bis +600 V
Tolerant gegenüber negativen Überspannungen, dV/dt-immun
Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Logik- und Leistungserdung +/- 5 V Offset
Geringere Di/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit
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