onsemi Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 20 V 8.3 ns
- RS Best.-Nr.:
- 277-028
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51152CADR2G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.184 | CHF.10.93 |
| 50 - 95 | CHF.2.079 | CHF.10.39 |
| 100 - 495 | CHF.1.922 | CHF.9.62 |
| 500 - 995 | CHF.1.764 | CHF.8.84 |
| 1000 + | CHF.1.701 | CHF.8.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-028
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51152CADR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Abfallzeit | 8.3ns | |
| Treiber-Typ | Isolierter Gattertreiber | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | NCV51152 | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Abfallzeit 8.3ns | ||
Treiber-Typ Isolierter Gattertreiber | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie NCV51152 | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber von ON Semiconductor ist für das schnelle Schalten von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt. Er zeichnet sich durch kurze und angepasste Ausbreitungsverzögerungen aus, ist in einem kompakten 4 mm SOIC-8-Gehäuse untergebracht und unterstützt eine Isolationsspannung von bis zu 3,75 kVRMS. Darüber hinaus verfügt es über wichtige Schutzfunktionen wie eine unabhängige Unterspannungssperre für beide Seiten des Treibers.
Ausbreitungsverzögerung typisch 36 ns mit 5 ns maximaler Verzögerungsanpassung
AEC Q100-qualifiziert für die Anforderungen von Automobilanwendungen
Negative 5 V Belastbarkeit der Eingangsstifte
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