MPS MP1907GQ-P MOSFET High-Side 2.5 A 2 10-Pin QFN-10 9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 337-500
- Herst. Teile-Nr.:
- MP1907GQ-P
- Marke:
- MPS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 337-500
- Herst. Teile-Nr.:
- MP1907GQ-P
- Marke:
- MPS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MPS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 2.5A | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Abfallzeit | 9ns | |
| Gehäusegröße | QFN-10 | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Alle auswählen | ||
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Marke MPS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 2.5A | ||
Pinanzahl 10 | ||
Abfallzeit 9ns | ||
Gehäusegröße QFN-10 | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 100-V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber von MPS International Ltd ist ein Low-Side- und High-Side-Treiberkanal, der unabhängig gesteuert und mit einer Zeitverzögerung von weniger als 5 ns abgestimmt wird. Unterspannungs-Sperrung sowohl Hoch- als auch Niederspannungsversorgungen zwingen ihre Ausgänge im Falle einer unzureichenden Versorgung niedrig. Beide Ausgänge bleiben niedrig, bis eine steigende Kante an beiden Eingängen erkannt wird. Die integrierte Bootstrap-Diode reduziert die Anzahl der externen Komponenten.
100 V VBST-Spannungsbereich
Eingangssignalüberlappungsschutz
On-Chip-Bootstrap-Diode
Typische Ausbreitungsverzögerungszeit von 20 ns
Weniger als 5 ns Gate-Antriebsfehler