Infineon Gate-Treiber-Modul MOSFET 420 A 2 AG-ECONOD 23 V 77 ns

Alle Gate-Treiber anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.1’005.585

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +CHF.1’005.59

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-898
Herst. Teile-Nr.:
FF1MR12MM1HB11BPSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

420A

Abfallzeit

77ns

Gehäusegröße

AG-ECONOD

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

261ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

23V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Serie

FF1MR12MM1H_B11

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU
Das Infineon EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul 1200 V, 1,4 mΩ bietet verbesserte Generation 1, NTC- und Press FIT-Kontakttechnologie. Auch mit vorappliziertem Wärmeleitmaterial erhältlich oder mit Wellenstruktur auf der Rückseite der Grundplatte für direkte Flüssigkeitskühlung erhältlich.

Geringe Schaltverluste

Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Höhere Gate-Schwellenspannung

Höhere Leistungsabgabe

Robuste integrierte Body-Diode

Hohe Robustheit gegenüber kosmischer Strahlung

Hochgeschwindigkeits-Schaltmodul

Schraubklemmanschlüsse

Integrierter NTC-Temperatursensor

Isolierte Grundplatte

Verwandte Links