Microchip Gate-Treiber Low-Side 2 A 1 16-Pin QFN-16 13 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 598-646
- Herst. Teile-Nr.:
- MD1810K6-G
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 3300 Stück)*
CHF.11'431.20
Vorübergehend ausverkauft
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3300 + | CHF.3.464 | CHF.11'422.19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-646
- Herst. Teile-Nr.:
- MD1810K6-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Gehäusegröße | QFN-16 | |
| Treiber-Typ | Low-Side | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 13V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -20°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 4.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | MD1810 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Gehäusegröße QFN-16 | ||
Treiber-Typ Low-Side | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 13V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -20°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 4.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie MD1810 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochgeschwindigkeits-Quad-MOSFET-Treiber von Microchip. Er wurde entwickelt, um Hochspannungs-P-Kanal- und N-Kanal-MOSFETs für medizinische Ultraschall-Bildgebungsanwendungen zu betreiben. Dieser Treiber kann auch für die Ultraschall-Erkennung von Metallfehlern, NDT, piezoelektrischen Wandlerantrieb, Taktantrieb und PIN-Diodenantrieb verwendet werden.
Bauweise mit geringem Jitter
Vier passende Kanäle
Ausgänge können unter der Erde schwingen
Ausgang mit hoher Impedanz bei Deaktivierung
Gehäuse mit niedriger Induktivität
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