Microchip MIC4414YFT-TR Gate-Treiber Low-Side 1.5 A 1 4-Pin 4-polig Dünn-QFN (1,2 x 1,2 mm) 18 V 12 ns
- RS Best.-Nr.:
- 599-160
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC4414YFT-TR
- Marke:
- Microchip
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|---|---|---|
| 5000 + | CHF.1.071 | CHF.5’334.00 |
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- 599-160
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- MIC4414YFT-TR
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1.5A | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | 4-polig Dünn-QFN (1,2 x 1,2 mm) | |
| Abfallzeit | 12ns | |
| Treiber-Typ | Low-Side | |
| Anstiegszeit | 12ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | MIC4414/4415 | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1.5A | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße 4-polig Dünn-QFN (1,2 x 1,2 mm) | ||
Abfallzeit 12ns | ||
Treiber-Typ Low-Side | ||
Anstiegszeit 12ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie MIC4414/4415 | ||
Breite 1.2 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Low-Side-MOSFET-Treiber von Microchip wurde zum Schalten eines N-Kanal-MOSFETs des Verstärkungstyps in Low-Side-Switch-Anwendungen entwickelt. Der MOSFET-Treiber ist ein nicht invertierender Treiber. Diese Treiber verfügen über kurze Verzögerungen und einen hohen Spitzenstrom, um präzise Kanten und schnelle Aufwärts- und Abwärtszeiten zu erzeugen. Der MOSFET-Treiber wird von einer 4,5-V- bis 18-V-Versorgung mit Strom versorgt und kann Spitzenströme von bis zu 1,5 A senken und liefern, indem er einen 1000-pF-Kondensator in 12 ns schaltet. Die Ausgangsspannung des Gate-Antriebs im eingeschalteten Zustand ist ungefähr gleich der Versorgungsspannung (keine internen Regler oder Klemmen). Hohe Versorgungsspannungen wie 10 V sind für den Einsatz mit Standard-N-Kanal-MOSFETs geeignet. Niedrige Versorgungsspannungen, wie z. B. 5 V, eignen sich für den Einsatz mit vielen N-Kanal-MOSFETs auf Logikstufe.
Bietet eine niedrige Abfallspannung für eine bessere Effizienz in Ihren Anwendungen
Entwickelt für einen effektiven Betrieb unter einer Vielzahl von Eingangsspannungsbedingungen
Ausgestattet mit einer hohen Ausgangsstromkapazität, um leistungsstarke Komponenten zu unterstützen
Mit thermischen Schutzvorkehrungen zur Verbesserung der Systemzuverlässigkeit
Unterstützt einen großen Temperaturbereich für verschiedene Umgebungsbedingungen
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