Microchip MCP14A0902T-E/MNYVAO Gate-Treiber MOSFET 9 A 2 8-Pin TDFN 18 V 22 ns
- RS Best.-Nr.:
- 644-283
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP14A0902T-E/MNYVAO
- Marke:
- Microchip
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.646 | CHF.5.28 |
| 20 - 98 | CHF.2.331 | CHF.4.66 |
| 100 - 198 | CHF.2.079 | CHF.4.17 |
| 200 + | CHF.1.848 | CHF.3.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 644-283
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP14A0902T-E/MNYVAO
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | TDFN | |
| Abfallzeit | 22ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 27ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 18V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 3 mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Serie | MCP14A0901/2 | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q100 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße TDFN | ||
Abfallzeit 22ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 27ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 18V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 3mm | ||
Breite 3 mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Serie MCP14A0901/2 | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q100 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Die Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Gate-Treiber von Microchip mit zwei Ausgängen können einen Spitzenstrom von bis zu 9 A liefern und mit einer einzigen Versorgungsspannung von 4,5 V bis 18 V betrieben werden. Diese Bauelemente zeichnen sich durch einen niedrigen Durchschussstrom, schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten und kurze Ausbreitungsverzögerungen aus, was sie ideal für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen macht. Diese MOSFET-Gate-Treiberbausteine bieten eine verbesserte Steuerung mit Freigabefunktion.
Niedriger Durchschuss-/Kreuzleitungsstrom in der Endstufe
Niedriger Versorgungsstrom von 360 μA
Eingang mit Niederspannungsschwelle und Freigabe mit Hysterese
Latch-up-geschützt und widersteht 0,5 A Rückstrom
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