Renesas Electronics ISL2111ABZ MOSFET MOSFET 4 A 2 8-Pin SOIC 14 V 190 ns

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Herst. Teile-Nr.:
ISL2111ABZ
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

4A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

190ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

300ns

Minimale Versorgungsspannung

14V

Maximale Versorgungsspannung

14V

Anzahl der Treiber

2

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Serie

ISL2111

Breite

4 mm

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Die ISL2111-Serie von Renesas Electronics umfasst 100-V-Hochfrequenz-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-ICs mit Halbbrücken. Sie basieren auf dem

Beliebte Halbbrückentreiber HIP2100, HIP2101, bieten jedoch mehrere Leistungsverbesserungen.

Steuert N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke

SOIC-, DFN- und TDFN-Gehäuseoptionen

Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. 114 V dc

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