Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3400 mA 8-Pin SOIC 20 V 365 ns
- RS Best.-Nr.:
- 201-3366
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2211FBZ-T7A
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 201-3366
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2211FBZ-T7A
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 3400mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 365ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 435ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 18V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | HIP2211 | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 3400mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 365ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 435ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 18V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie HIP2211 | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 8-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.
Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung
Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode
115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke
Verwandte Links
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3400 mA 8-Pin SOIC 20 V 365 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3400 mA 10-Pin DFN 20 V 365 ns
- Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul Halbbrücke 4 A 2 10-Pin TDFN 18 V 365 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3.5 A 2 8-Pin TSSOP 5.5 V 6.9 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3.5 A 2 16-Pin QFN 5.5 V 6.9 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 5 V 8 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 200 mA 8-Pin SOIC 16 V 15 ns
- Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 20-Pin SOIC 15 V 10 ns
