Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3400 mA 10-Pin DFN 20 V 365 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.11.235

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +CHF.2.247CHF.11.23

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
201-3370
Herst. Teile-Nr.:
HIP2211FRTZ-T7A
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

3400mA

Pinanzahl

10

Abfallzeit

365ns

Gehäusegröße

DFN

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

435ns

Minimale Versorgungsspannung

18V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.6 mm

Länge

3mm

Serie

HIP2211

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 10-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.

Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung

Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode

115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke

Verwandte Links