Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3.4 A 10-Pin DFN 20V 365 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
201-3370
Herst. Teile-Nr.:
HIP2211FRTZ-T7A
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

3.4A

Pinanzahl

10

Gehäusegröße

DFN

Abfallzeit

365ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

435ns

Minimale Versorgungsspannung

18V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.75mm

Länge

3mm

Serie

HIP2211

Breite

2.6mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 10-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.

Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung

Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode

115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.