Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3.4 A 10-Pin DFN 20V 365 ns

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RS Best.-Nr.:
201-3369
Herst. Teile-Nr.:
HIP2211FRTZ-T7A
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

3.4A

Pinanzahl

10

Abfallzeit

365ns

Gehäusegröße

DFN

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

435ns

Minimale Versorgungsspannung

18V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.6mm

Länge

3mm

Höhe

750μm

Serie

HIP2211

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 10-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.

Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung

Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode

115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke

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