Infineon Halbbrückentor-Treiber 8 A 1 5-Pin SOT-23 20V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 217-7149
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN7512BXTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 0.444 | CHF 8.97 |
| 100 - 180 | CHF 0.424 | CHF 8.52 |
| 200 - 480 | CHF 0.404 | CHF 8.16 |
| 500 - 980 | CHF 0.394 | CHF 7.82 |
| 1000 + | CHF 0.364 | CHF 7.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-7149
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN7512BXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Halbbrückentor-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 8A | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 6.5ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | 1EDN751x | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.6mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Halbbrückentor-Treiber | ||
Ausgangsstrom 8A | ||
Pinanzahl 5 | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 6.5ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie 1EDN751x | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.45mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.6mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 1-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs sind die Crucial Link zwischen Steuerungs-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltgeräten. Gate-Treiber-ICs ermöglichen hohe Effizienz auf Systemebene, ausgezeichnete Leistungsdichte und konsistente Systemrobustität.
Hocheffiziente SMPS mit kurzen Anstiegsgeschwindigkeiten von 5 ns Und ±5 ns Ausbreitungsverzögerungsgenauigkeit für schnellen MOSFET und GaN Schalten
Separate Quell- und Senken-Ausgänge vereinfachen das Anwendungsdesign
Industriestandard-Gehäuse und Pinbelegung erleichtern Systemdesign-Upgrades
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