Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 20V 30 ns

RS Best.-Nr.:: 217-7195
Herst. Teile-Nr.:: IRS21864STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 20V 30 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRS21864STRPBF
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	4A
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	30ns
	Anzahl der Ausgänge	2
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anstiegszeit	38ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Anzahl der Treiber	1
	Maximale Versorgungsspannung	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Serie	IRS
	Breite	3.99mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.75mm
	Länge	8.74mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 4A
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 30ns
	Anzahl der Ausgänge 2
	Treiber-Typ MOSFET
	Anstiegszeit 38ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Anzahl der Treiber 1
	Maximale Versorgungsspannung 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Serie IRS
	Breite 3.99mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.75mm
	Länge 8.74mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS21864STRPBF

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 4 A Ausgangsstrom – IRS21864STRPBF

Dieser Gate-Treiber bietet eine kompakte Lösung für die Ansteuerung von MOSFETs in elektronischen Systemen und wandelt Eingangsversorgungsspannungen in kontrollierte Gate-Ausgänge für Schaltanwendungen um. Er ist für die Oberflächenmontage konzipiert und eignet sich für Umgebungen, die eine moderate Antriebsstärke und schnelles Schalten bei einem breiten Temperaturbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Ein einzelner Treiber mit zwei Ausgängen sorgt für eine unabhängige Gate-Steuerung
• Der Ausgangsstrom von 4 A sorgt für eine starke Gate-Ladefähigkeit
• Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V für eine flexible Systemintegration
• Abfallzeit von 30 ns ermöglicht schnelle Abschaltvorgänge
• Die Anstiegszeit von 38 ns gewährleistet eine schnelle Einschaltreaktion
• RoHS-konformes Gehäuse unterstützt regulierte Fertigungspraktiken

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Ansteuerung von MOSFETs in Leistungsumwandlungsmodulen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die eine schnelle Schaltung erfordern
• Wird mit Halbbrücken-Frequenzumrichtern in industriellen Geräten verwendet
• Kann für die synchrone Gleichrichter-Gate-Steuerung in Versorgungsanlagen verwendet werden
• Wird für schnelles Schalten in Beleuchtungs- und Stromverwaltungsschaltkreisen verwendet

Welcher Gehäusetyp wird für die Platinenmontage verwendet?

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.

Welche thermischen Grenzwerte sollten Entwickler für die Zuverlässigkeit berücksichtigen?

Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -40 °C und 150 °C ausgelegt.

Wie viele Ausgänge sind für die unabhängige Steuerung verfügbar?

Es gibt zwei separate Ausgänge, die von einem einzigen internen Treiber angetrieben werden.

Wie hoch sind die Abmessungen der physischen Grundfläche der Leiterplatte?

Das Gehäuse misst 8,74 mm in der Länge, 3,99 mm in der Breite und 1,75 mm in der Höhe.

Ist das Gerät für Kfz-Standardanwendungen vorgesehen?

Er entspricht nicht den Automobilstandards und sollte für solche Programme nicht spezifiziert werden.