Infineon Gate-Treiber MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 60 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6213
Herst. Teile-Nr.:: IRS2304STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 60 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 226-6213
Herst. Teile-Nr.:: IRS2304STRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	290mA
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	60ns
	Anzahl der Ausgänge	2
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anstiegszeit	120ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Maximale Versorgungsspannung	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	4mm
	Serie	IRS
	Höhe	1.75mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 290mA
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 60ns
	Anzahl der Ausgänge 2
	Treiber-Typ MOSFET
	Anstiegszeit 120ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Maximale Versorgungsspannung 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 4mm
	Serie IRS
	Höhe 1.75mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS2304STRPBF

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 290 mA Ausgangsstrom – IRS2304STRPBF

Dieser Gate-Treiber ist ein MOSFET-Treiber mit zwei Ausgängen, der für die Verbindung von Niederspannungs-Steuerungslogiken mit Leistungstransistoren entwickelt wurde und einen Gate-Antrieb über einen moderaten Versorgungsbereich für oberflächenmontierte Anwendungen in kompakten Baugruppen bietet.

Merkmale und Vorteile:

• Die minimale Versorgung von 10 V ermöglicht den Betrieb von Niederspannungsschienen
• Die maximale Versorgung von 20 V toleriert erhöhte Gate-Treiberanforderungen
• 290 mA Ausgangsstrom liefert eine hohe Schaltleistung
• Die Anstiegszeit von 120 ns unterstützt mäßig schnelle Einschaltübergänge
• Die Abfallzeit von 60 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltung für geringere Schaltverluste
• 8-poliges SOIC-Gehäuse vereinfacht die Platzierung der Platine und das Löten

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Zweikanal-Power-Stage-Gate-Steuerung
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Leistungswandler
• Wird mit MOSFETs verwendet, die einen mittleren Antriebsstrom erfordern
• Kann für synchrone Schaltstufen verwendet werden
• Wird für die Gate-Ansteuerung in einem breiten Temperaturbereich verwendet

In welchem Temperaturbereich kann er verwendet werden?

Es arbeitet zwischen -40 °C und 150 °C und ermöglicht so den Einsatz in einem breiten Spektrum von thermischen Umgebungen.

Welche Montageart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?

Das Gerät wird in einem oberflächenmontierten SOIC-Gehäuse geliefert, das für das Reflow-Löten auf Leiterplatten ausgelegt ist.

Wie viele Ausgänge sind für die Ansteuerung von Transistoren verfügbar?

Es bietet zwei Ausgänge, sodass Sie zwei MOSFET-Gatter unabhängig voneinander steuern können.

Welcher Anzahl von Pins und welchem Gehäuseprofil folgt er?

Die Komponente ist eine 8-polige SOIC-Bauform, die für platzsparende Layouts geeignet ist.

Welche Art von Treiberfunktionalität bietet er?

Er fungiert als MOSFET-Gate-Treiber und wandelt Versorgungs- und Logikeingänge in Gate-Drive-Signale um.