Infineon Halbbrücken-IPM MOSFET 30 A 1 27-Pin PQFN 20 V 35 ns

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Herst. Teile-Nr.:
IRSM005-301MH
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Halbbrücken-IPM

Ausgangsstrom

30A

Pinanzahl

27

Gehäusegröße

PQFN

Abfallzeit

35ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

70ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

IRSM005-301MH

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8.1mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IRSM005-301MH ist eine Universal-Halbbrücke mit integriertem Gate-Treiber in einem attraktiven 7 x 8 mm PQFN-Gehäuse. Er ist ein universell einsetzbarer Baustein, der für eine Vielzahl von Niederspannungsanwendungen geeignet ist, bei denen die Leistungsdichte von entscheidender Bedeutung ist. Typische Beispiele sind Advanced Motorantriebe, DC/AC- und DC/DC-Wandler.

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und minimaler parasitärer Wirkung

HEXFETs mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand: 16 mΩ typ.

Unterspannungsschutz an VCC und VBS

Unabhängiger Gate-Antrieb in Phase mit Logikeingang

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V.

Laufzeitverzögerung abgestimmt auf definierte Spezifikation

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