Infineon PowerStage MOSFET 5 A 2 36-Pin PQFN 20V 45 ns
- RS Best.-Nr.:
- 232-3039
- Herst. Teile-Nr.:
- DHP1050N10N5AUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.646
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Juli 2028
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 3.65 |
| 10 - 24 | CHF 3.46 |
| 25 - 49 | CHF 3.32 |
| 50 - 99 | CHF 3.17 |
| 100 + | CHF 2.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 232-3039
- Herst. Teile-Nr.:
- DHP1050N10N5AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | PowerStage | |
| Ausgangsstrom | 5A | |
| Pinanzahl | 36 | |
| Abfallzeit | 45ns | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 3 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 8V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 6mm | |
| Serie | DHPx050N10N5 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 7.5mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ PowerStage | ||
Ausgangsstrom 5A | ||
Pinanzahl 36 | ||
Abfallzeit 45ns | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 3 | ||
Minimale Versorgungsspannung 8V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 6mm | ||
Serie DHPx050N10N5 | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 7.5mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die integrierte Infineon 100-V-Halbbrücken-Leistungsstufe wurde für Advanced-DC/DC-Wandleranwendungen wie Telekommunikations-Bus-Wandler entwickelt. Mit einem ständig steigenden Bedarf an höherer Leistungsdichte und kleineren Abmessungen für die neuesten DC/DC-Telekommunikationswandler nutzt der DHP1050N10N5 die neueste Weiterentwicklung von Silizium, um eine Lösung zur Erfüllung dieser schwierigen Designparameter bei gleichzeitiger Verbesserung von Leistung und Zuverlässigkeit zu bieten.
Schnelle Ausbreitungsverzögerung
Unterstützt Betriebsfrequenz bis zu 1 MHz
5 A Ausgangsstift mit Rückstrombelastbarkeit
Unabhängig gesteuerte Hoch- und Niederspannungsseiten-Gate-Treiber
Verwandte Links
- Infineon PowerStage MOSFET 5 A 2 36-Pin PQFN 20V 45 ns
- Infineon Gate-Treiber Halbbrücke 80 A 27-Pin PQFN 20V 35 ns
- Infineon Halbbrücken-IPM MOSFET 30 A 1 27-Pin PQFN 20V 35 ns
- Infineon IGBT-Modul IGBT 2 A 36-Pin SOIC-36 20V 350 ns
- Infineon Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 20 A 1 36-Pin G-DSO-36 5.5V 45 ns
- Infineon Gate-Treiber Gate-Treiber 80 A 1 27-Pin PQFN 225V 35 ns
- Infineon Gate-Treiber-Modul 1.8 A SOIC 20V 35 ns
- Infineon Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 8-Pin DSO 20V 5 ns
