Infineon 1EDF5673KXUMA1 MOSFET MOSFET 8 A 1 13-Pin TFLGA 3.5 V 19 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.7.455

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3’985 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.1.491CHF.7.48
25 - 45CHF.1.071CHF.5.38
50 - 120CHF.1.019CHF.5.08
125 - 245CHF.0.945CHF.4.72
250 +CHF.0.861CHF.4.33

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4761
Herst. Teile-Nr.:
1EDF5673KXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

8A

Pinanzahl

13

Abfallzeit

19ns

Gehäusegröße

TFLGA

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

6.5ns

Minimale Versorgungsspannung

4.2V

Anzahl der Treiber

1

Maximale Versorgungsspannung

3.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Serie

1EDF5673F

Breite

7.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.35mm

Länge

10.3mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Einkanal-galvanisch isolierte Gate-Treiber-IC 1EDF5673K ist perfekt für den Anreicherungstyp (e-mode) Gallium-Nitrid (GaN)-HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Diodeneingangskennlinie) und niedriger Schwellenspannung, wie CoolGaN. Er sorgt für einen robusten und hocheffizienten Hochspannungs-GaN-Schalterbetrieb bei gleichzeitiger Minimierung des F&E-Aufstrengungen und Verkürzung der Markteinführungszeit.

Niederohmige Ausgänge

Einkanalige galvanische Trennung

Integrierte galvanische Trennung

Verwandte Links