Infineon 1EDS5663HXUMA1 MOSFET MOSFET 8 A 1 16-Pin DSO 3.5 V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 222-4771
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDS5663HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.649 | CHF.8.24 |
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| 50 - 120 | CHF.1.302 | CHF.6.51 |
| 125 - 245 | CHF.1.218 | CHF.6.10 |
| 250 + | CHF.1.124 | CHF.5.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4771
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDS5663HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 8A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 6.5ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 10.3mm | |
| Breite | 7.5 mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Serie | 1EDS5663H | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 8A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 6.5ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 10.3mm | ||
Breite 7.5 mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Serie 1EDS5663H | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der neue einkanalige galvanisch isolierte Gate-Treiber-IC 1EDS5663H von Infineon ist perfekt für Anreicherungs-(e-mode) Gallium-Nitrid-(GaN)-HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Diodeneingangskennlinie) und niedriger Schwellenspannung, wie CoolGaN. Er sorgt für einen robusten und hocheffizienten Hochspannungs-GaN-Schalterbetrieb bei gleichzeitiger Minimierung des F&E-Aufstrengungen und Verkürzung der Markteinführungszeit.
Niederohmige Ausgänge
Einkanalige galvanische Trennung
Integrierte galvanische Trennung
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