Infineon MOSFET MOSFET 8 A 1 16-Pin DSO 3.5 V 4.5 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Gate-Treiber anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
222-4770
Herst. Teile-Nr.:
1EDS5663HXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

8A

Pinanzahl

16

Gehäusegröße

DSO

Abfallzeit

4.5ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

6.5ns

Minimale Versorgungsspannung

4V

Anzahl der Treiber

1

Maximale Versorgungsspannung

3.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

10.3mm

Höhe

2.35mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

1EDS5663H

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der neue einkanalige galvanisch isolierte Gate-Treiber-IC 1EDS5663H von Infineon ist perfekt für Anreicherungs-(e-mode) Gallium-Nitrid-(GaN)-HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Diodeneingangskennlinie) und niedriger Schwellenspannung, wie CoolGaN. Er sorgt für einen robusten und hocheffizienten Hochspannungs-GaN-Schalterbetrieb bei gleichzeitiger Minimierung des F&E-Aufstrengungen und Verkürzung der Markteinführungszeit.

Niederohmige Ausgänge

Einkanalige galvanische Trennung

Integrierte galvanische Trennung

Verwandte Links