Infineon IR11662STRPBF MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 18 V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 222-4944
- Herst. Teile-Nr.:
- IR11662STRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.155 | CHF.11.53 |
| 50 - 90 | CHF.1.092 | CHF.10.95 |
| 100 - 240 | CHF.1.05 | CHF.10.49 |
| 250 - 490 | CHF.1.008 | CHF.10.04 |
| 500 + | CHF.0.935 | CHF.9.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4944
- Herst. Teile-Nr.:
- IR11662STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 181ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Serie | IR11662S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 181ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Serie IR11662S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 200V-sekundärseitige Hochgeschwindigkeits-SR-Controller in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse.
Sekundärseitiger Hochgeschwindigkeits-SR-Controller
DCM-, CrCM-Flyback- und Resonanz-Halbbrücken-Topologien
Proprietäre 200-V-IC-Technologie
Max. 500 kHz Schaltfrequenz
Anti-Prellen-Logik und UVLO-Schutz
4 A Peak Ausschaltstrom
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