Infineon Gate-Treiber MOSFET 1.8 A 2 14-Pin DSO 17.5V 60 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6037
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDL23I06PJXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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| 5 - 45 | CHF 2.161 | CHF 10.81 |
| 50 - 120 | CHF 1.838 | CHF 9.19 |
| 125 - 245 | CHF 1.707 | CHF 8.55 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6037
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDL23I06PJXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1.8A | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Abfallzeit | 60ns | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 48ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 13V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Serie | 2EDL23I06PJ | |
| Länge | 8.75mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1.8A | ||
Pinanzahl 14 | ||
Abfallzeit 60ns | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 48ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 13V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 17.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Serie 2EDL23I06PJ | ||
Länge 8.75mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der Serie 2EDL23I06PJ von Infineon, 1,8 A Ausgangsstrom, 13 V Mindestversorgungsspannung – 2EDL23I06PJXUMA1
Dieser Gate-Treiber bietet eine kompakte MOSFET-Antriebslösung für Schaltanwendungen mit zwei Ausgängen, die für den Betrieb mit einer Niederspannungsversorgung bis hin zu Spannungen mit mittlerem Bereich ausgelegt ist. Er ist für oberflächenmontierte Schaltkreise vorgesehen, bei denen ein kleiner Platzbedarf und ein flaches Profil erforderlich sind, und eignet sich für die Steuerung von MOSFET-Gates in Leistungsumwandlungs- und Motorantriebskontexten.
Merkmale und Vorteile:
• Zwei Treiberkanäle liefern zwei unabhängige Ausgänge für die Gate-Steuerung
• 1,8 A Ausgangsstrom unterstützt moderate Gate-Ladegeschwindigkeiten
• Die Anstiegszeit von 48 ns ermöglicht schnelle Einschaltumschaltungen
• Die Abfallzeit von 60 ns gewährleistet ein schnelles Abschaltverhalten
• Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 13 V bis 17,5 V für eine flexible Systemintegration
• Ausgelegt für den Betrieb bei -40 bis 125 °C für breite thermische Umgebungen
• 1,8 A Ausgangsstrom unterstützt moderate Gate-Ladegeschwindigkeiten
• Die Anstiegszeit von 48 ns ermöglicht schnelle Einschaltumschaltungen
• Die Abfallzeit von 60 ns gewährleistet ein schnelles Abschaltverhalten
• Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 13 V bis 17,5 V für eine flexible Systemintegration
• Ausgelegt für den Betrieb bei -40 bis 125 °C für breite thermische Umgebungen
Anwendungsbereich
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern in kompakten Netzteilen verwendet
• Geeignet für Halbbrücken- und Vollbrücken-MOSFET-Gate-Steuerung
• Ideal für die Gate-Schaltung von Motorantrieben in der Industrieelektronik
• Kann für isolierte Gate-Ansteuerungsstufen auf oberflächenmontierten Platinen verwendet werden
• Wird für Leistungsstufenprüfungen verwendet, bei denen ein schnelles Schalten erforderlich ist
• Geeignet für Halbbrücken- und Vollbrücken-MOSFET-Gate-Steuerung
• Ideal für die Gate-Schaltung von Motorantrieben in der Industrieelektronik
• Kann für isolierte Gate-Ansteuerungsstufen auf oberflächenmontierten Platinen verwendet werden
• Wird für Leistungsstufenprüfungen verwendet, bei denen ein schnelles Schalten erforderlich ist
Wie ist das Gerät für die Leiterplattenmontage verpackt?
Er wird in einem 14-poligen DSO-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit einer flachen Gehäusehöhe von 1,75 mm geliefert.
Welche mechanische Grundfläche sollten Entwickler auf der Platine zulassen?
Das Gehäuse misst 8,75 x 4 mm und ermöglicht die Platzierung kompakter Module in dichten Layouts.
Welche thermischen Grenzwerte müssen während des Betriebs eingehalten werden?
Das Gerät ist für einen Temperaturbereich von -40 bis 125 °C ausgelegt.
Wie viele Ausgänge sind verfügbar und welche Art von Ausgängen gibt es?
Es gibt zwei unabhängige Ausgänge, die für die MOSFET-Gate-Ansteuerung konfiguriert sind.
Wie hoch ist die maximale Versorgungsspannung, die angewendet werden kann?
Die Versorgungsspannung darf 17,5 V nicht überschreiten, um innerhalb der Bemessungsgrenzen zu bleiben.
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