Infineon MOSFET MOSFET 165 mA 6 28-Pin DSO 17.5V 45 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6047
- Herst. Teile-Nr.:
- 6EDL04N06PTXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6047
- Herst. Teile-Nr.:
- 6EDL04N06PTXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 165mA | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Abfallzeit | 45ns | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 60ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 17.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17.5V | |
| Anzahl der Treiber | 6 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | 6EDL04N06PT | |
| Länge | 18.1mm | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 165mA | ||
Pinanzahl 28 | ||
Abfallzeit 45ns | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 60ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 17.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 17.5V | ||
Anzahl der Treiber 6 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie 6EDL04N06PT | ||
Länge 18.1mm | ||
Höhe 2.65mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 6ED-Familie ist ein Vollbrückentreiber zur Steuerung von Leistungsgeräten wie MOS-Transistoren oder IGBTs in 3-phasigen Systemen mit einer maximalen Sperrspannung von +600 V. Es basiert auf der verwendeten SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit bei transienten Spannungen. Im Gerät ist keine parasitäre Thyristorstruktur vorhanden. Daher kann bei allen Temperatur- und Spannungsbedingungen kein parasitäres Latch-Up auftreten. Sie verfügt über eine Signalverriegelung jeder Phase, um eine Querleitung zu verhindern.
Maximale Sperrspannung: +600 V
Ausgangsquelle/Senkenstrom +0,165 A/-0,375 A
Integrierte ultraschnelle, niedrige RDS(ON)-Bootstrap-Diode
Unempfindlichkeit des Brückenausgangs auf negativ
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