Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 3 A 16-Pin SOIC 200 V 25 ns

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RS Best.-Nr.:
226-6147
Herst. Teile-Nr.:
IR2010STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber

Ausgangsstrom

3A

Pinanzahl

16

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

25ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

10ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

200V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

IR2010(S)PBF

Länge

10.5mm

Höhe

2.65mm

Breite

7.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IR2010 ist ein Hochleistungs-, Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigem, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenziertem Ausgangskanal. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,0-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Laufzeit wird angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.

Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V.

Unterspannungsschutz für beide Kanäle

Voll funktionsfähig bis 200 V

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