Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 3 A 16-Pin SOIC 200V 25 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6147
Herst. Teile-Nr.:: IR2010STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 3 A 16-Pin SOIC 200V 25 ns

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RS Best.-Nr.:: 226-6147
Herst. Teile-Nr.:: IR2010STRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber
	Ausgangsstrom	3A
	Pinanzahl	16
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	25ns
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	10ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Maximale Versorgungsspannung	200V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	10.5mm
	Höhe	2.65mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	7.6mm
	Serie	IR2010(S)PBF
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber
	Ausgangsstrom 3A
	Pinanzahl 16
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 25ns
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 10ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Maximale Versorgungsspannung 200V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 10.5mm
	Höhe 2.65mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 7.6mm
	Serie IR2010(S)PBF
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IR2010STRPBF

Infineon IR2010(S)PBF Serie Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber, 10 V Mindestversorgungsspannung, 3 A Ausgangsstrom - IR2010STRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber ist ein zweikanaliger Gate-Treiber-IC, der für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs in Hochspannungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet bei extremen industriellen Temperaturen und unterstützt den Einsatz in oberflächenmontierten Baugruppen, bietet kontrollierte Gate-Antriebsströme und schnelle Schaltleistung für Leistungselektroniksysteme.

Merkmale und Vorteile:

• Zwei Ausgänge liefern 3 A Spitzen-Antriebsstrom für schnelleres Schalten
• Die minimale Versorgung von 10 V ermöglicht den Betrieb von gängigen Gate-Schienen
• 10 ns Anstiegszeit reduziert Übergangsverluste während des Einschaltens
• 25 ns Abfallzeit begrenzt die Schaltbelastung von Transistoren
• Die maximale Versorgung von 200 V bietet eine Hochspannungs-Gate-Ansteuerungsfähigkeit
• Das 16-polige SOIC-Gehäuse ermöglicht eine kompakte Oberflächenmontage

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Gate-Ansteuerung in Wechselrichter-Leistungsstufen
• Ideal für die Steuerung von Hochspannungsschaltern in Wandlern
• Einsatz mit diskreten MOSFET-Arrays in Motorantrieben
• Kann zur IGBT-Gate-Steuerung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?

Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 150 °C und unterstützt den Einsatz in thermisch anspruchsvollen Umgebungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Das Gerät wird in einem 16-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen ist.

Wie wirkt sich die Anzahl der Pins auf das Leiterplatten-Layout aus?

Die 16-polige Anordnung bietet separate Pins für zwei Ausgänge und Steuereingänge und vereinfacht die Routing für isolierte Gate-Signale.

Welches physikalische Profil sollten Konstrukteure Höhenbeschränkungen zulassen?

Das Bauteil hat eine Gesamthöhe von 2,65 mm, was bei der Planung von Bauteilstapelung und Gehäuseabständen berücksichtigt werden sollte.