Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 3 A 16-Pin SOIC 200 V 25 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6148
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2010STRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.15.33
Auf Lager
- Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 16. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.066 | CHF.15.31 |
| 25 - 45 | CHF.2.604 | CHF.13.02 |
| 50 - 120 | CHF.2.457 | CHF.12.26 |
| 125 - 245 | CHF.2.268 | CHF.11.34 |
| 250 + | CHF.2.111 | CHF.10.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6148
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2010STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 3A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 25ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 200V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Breite | 7.6 mm | |
| Länge | 10.5mm | |
| Serie | IR2010(S)PBF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber | ||
Ausgangsstrom 3A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 25ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 200V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.65mm | ||
Breite 7.6 mm | ||
Länge 10.5mm | ||
Serie IR2010(S)PBF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IR2010 ist ein Hochleistungs-, Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigem, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenziertem Ausgangskanal. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,0-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Laufzeit wird angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.
Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun
Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V.
Unterspannungsschutz für beide Kanäle
Voll funktionsfähig bis 200 V
Verwandte Links
- Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 3 A 16-Pin SOIC 200 V 25 ns
- Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 1 8-Pin SOIC 600 V 65 ns
- Infineon MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 360 mA 8-Pin SOIC 600 V 90 ns
- Infineon MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 0.35 A 2 14-Pin SOIC 20 V 80 ns
- Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225 V 17 ns
- Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber Gate-Treiber 130 mA 1 8-Pin SOIC 600 V 90 ns
- Infineon MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 0.5 A 2 8-Pin PDIP 20 V 40 ns
- Microchip Leistungs-MOSFET-Treiber MOSFET 4.5 A 2 8-Pin SOIC 18 V 40 ns