Infineon IR21531STRPBF MOSFET MOSFET 8-Pin SOIC 600 V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6157
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-410
- Herst. Teile-Nr.:
- IR21531STRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.869 | CHF.9.35 |
| 25 - 45 | CHF.1.628 | CHF.8.14 |
| 50 - 120 | CHF.1.512 | CHF.7.58 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6157
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-410
- Herst. Teile-Nr.:
- IR21531STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 80ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 15.6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | IR21531(D)(S) & (PbF) | |
| Länge | 4.98mm | |
| Breite | 3.99 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 80ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 15.6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie IR21531(D)(S) & (PbF) | ||
Länge 4.98mm | ||
Breite 3.99 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IR21531S ist eine verbesserte Version der beliebten Gate-Treiber-ICs IR2155 und IR2151 und verfügt über einen Hochspannungs-Halbbrückentortreiber mit einem Front-End-Oszillator, der dem CMOS 555-Timer ähnelt. Eine Abschaltfunktion wurde für den Ct-Stift entwickelt, so dass beide Gate-Treiberausgänge über ein Niederspannungssignal deaktiviert werden können. Die Störfestigkeit wurde erheblich verbessert, sowohl durch eine Senkung des Peak di/dt des Gate-Treibers als auch durch eine Erhöhung des Unterspannungsschutz-Hysters auf 1 V.
Einschalten mit besonders geringer Leistungsaufnahme
Engere anfängliche Totzeit
Totzeit bei niedrigem Temperaturkoeffizienten
Auch LEAD-FREE erhältlich
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