Infineon Gate-Treiber MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 600V 90 ns

Dieser Gate-Treiber bietet eine zweikanalige Steuerung für das Schalten von MOSFETs in Hochspannungsanwendungen, nimmt eine Versorgung bis zu 10 V auf und arbeitet bis zu 600 V. Er wird in einem 8-poligen oberflächenmontierbaren SOIC-Gehäuse geliefert und ist für Anwender gedacht, die eine kompakte, hochspannungsfähige MOSFET-Ansteuerung über einen breiten Temperaturbereich benötigen.

• 290 mA Ausgangsstrom liefern ausreichend Gate-Ansteuerung für MOSFETs mit mittlerer Leistung
• Die Anstiegszeit von 170 ns ermöglicht ein relativ schnelles Einschalten für effizientes Schalten
• Die Fallzeit von 90 ns gewährleistet eine rechtzeitige Abschaltung, um Überlappungsverluste zu begrenzen
• Ausgelegt für den Betrieb bis 600 V, unterstützt Hochspannungstopologien
• Betrieb mit 10-V-Versorgung für Kompatibilität mit gängigen Steuerungsschienen
• RoHS-Konformität reduziert die Gefahrstoffe in Baugruppen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Wird mit Halbbrücken-MOSFET-Anordnungen in Wandlern verwendet
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Gate-Steuerungen
• Wird in der Leistungsfaktorkorrektur-Stufen-Gate-Ansteuerung eingesetzt
• Kann für isolierte Gate-Drive-Implementierungen verwendet werden

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage ausgelegt ist.

Das Gerät funktioniert bei extremen Betriebstemperaturen von -40 °C bis 125 °C.

Es gibt zwei Ausgänge für die Steuerung von zwei MOSFETs.

Es ist nicht als Kfz-Standardgerät klassifiziert.