Infineon Gate-Treiber MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 600V 90 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6178
Herst. Teile-Nr.:: IRS2101STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 600V 90 ns

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RS Best.-Nr.:: 226-6178
Herst. Teile-Nr.:: IRS2101STRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	290mA
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	90ns
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	170ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Maximale Versorgungsspannung	600V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Normen/Zulassungen	RoHS Compliant
	Länge	5mm
	Breite	4mm
	Höhe	1.75mm
	Serie	IRS
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 290mA
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 90ns
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 170ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Maximale Versorgungsspannung 600V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Normen/Zulassungen RoHS Compliant
	Länge 5mm
	Breite 4mm
	Höhe 1.75mm
	Serie IRS
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS2101STRPBF

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V minimale Versorgungsspannung, 600 V maximale Versorgungsspannung – IRS2101STRPBF

Dieser Gate-Treiber bietet eine zweikanalige Steuerung für das Schalten von MOSFETs in Hochspannungsanwendungen, nimmt eine Versorgung bis zu 10 V auf und arbeitet bis zu 600 V. Er wird in einem 8-poligen oberflächenmontierbaren SOIC-Gehäuse geliefert und ist für Anwender gedacht, die eine kompakte, hochspannungsfähige MOSFET-Ansteuerung über einen breiten Temperaturbereich benötigen.

Merkmale und Vorteile:

• 290 mA Ausgangsstrom liefern ausreichend Gate-Ansteuerung für MOSFETs mit mittlerer Leistung
• Die Anstiegszeit von 170 ns ermöglicht ein relativ schnelles Einschalten für effizientes Schalten
• Die Fallzeit von 90 ns gewährleistet eine rechtzeitige Abschaltung, um Überlappungsverluste zu begrenzen
• Ausgelegt für den Betrieb bis 600 V, unterstützt Hochspannungstopologien
• Betrieb mit 10-V-Versorgung für Kompatibilität mit gängigen Steuerungsschienen
• RoHS-Konformität reduziert die Gefahrstoffe in Baugruppen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Wird mit Halbbrücken-MOSFET-Anordnungen in Wandlern verwendet
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Gate-Steuerungen
• Wird in der Leistungsfaktorkorrektur-Stufen-Gate-Ansteuerung eingesetzt
• Kann für isolierte Gate-Drive-Implementierungen verwendet werden

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage ausgelegt ist.

Welchen Umgebungstemperaturbereich kann er bewältigen?

Das Gerät funktioniert bei extremen Betriebstemperaturen von -40 °C bis 125 °C.

Wie viele unabhängige Ausgänge sind verfügbar?

Es gibt zwei Ausgänge für die Steuerung von zwei MOSFETs.

Ist sie für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet?

Es ist nicht als Kfz-Standardgerät klassifiziert.