Infineon Gate-Treiber MOSFET 1 A 8-Pin SOIC 20V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6177
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2011STRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6177
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2011STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | IRS2011 | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JESD 47 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Serie IRS2011 | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JESD 47 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IRS2011 ist ein Hochleistungs-MOSFET-Treiber mit hohem und niedrigem Ausgangskanal mit Referenz auf der Seite. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Ausbreitungsverzögerungen werden angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.
Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Voll funktionsfähig bis 200 V
Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun
Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V.
Unabhängiger, niedriger und hoher Seitenkanal
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