Infineon Gate-Treiber MOSFET 1 A 8-Pin SOIC 20V 35 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*

CHF 5.61

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1'460 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF 1.121CHF 5.59
25 - 45CHF 0.99CHF 4.97
50 - 120CHF 0.929CHF 4.63
125 - 245CHF 0.859CHF 4.30
250 +CHF 0.788CHF 3.96

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6177
Herst. Teile-Nr.:
IRS2011STRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

1A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

35ns

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

40ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

JEDEC JESD 47

Breite

4mm

Serie

IRS2011

Höhe

1.75mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Gate-Treiber der Serie IRS2011 von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 1 A Ausgangsstrom – IRS2011STRPBF


Dieser Gate-Treiber bietet eine Dual-Kanal-MOSFET-Antriebsfunktionalität für leistungselektronische Schaltkreise, arbeitet mit einer moderaten Logikversorgung und liefert eine kontrollierte Gate-Schaltung für externe Transistoren. Es wird als kompaktes oberflächenmontierbares SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Integration auf belegte Boards vorgesehen ist, bei denen zwei Ausgänge und eine geringe Antriebsstärke erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Zwei Ausgänge sorgen für unabhängiges Gateing für gepaarte MOSFETs
• 1 A Ausgangsstrom unterstützt Transistorschaltungen mit mittlerer Leistung
• Betrieb von 10 V bis 20 V Versorgung für flexible Systemschienen
• Schnelle Abfallzeit von 35 ns reduziert Schaltverluste beim Abschalten
• Anstiegszeit von 40 ns verbessert die Reaktionsfähigkeit beim Einschalten und das Timing

Anwendungsbereich


• Geeignet für Zweikanal-Stromumwandlungsstufen
• Ideal für komplementäre MOSFET-Halbbrücken-Topologien
• Wird mit Motor-Treiber-Stufen verwendet, die passende Gates erfordern
• Kann zum Schalten von Reglern in kompakten Systemen verwendet werden
• Wird für die diskrete Steuerung von Transistor-Gate-Anschlüssen an Oberflächenbaugruppen verwendet

Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplattenmontage verwendet?


Er wird in einem oberflächenmontierten SOIC-Gehäuse mit einer 8-poligen Anzahl geliefert.

Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?


Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis maximal 150 °C ausgelegt.

Wie klein ist die Komponente für platzbeschränkte Designs?


Das Gehäuse misst 5 mm in der Länge, 4 mm in der Breite und 1,75 mm in der Höhe.

Entspricht er den Zuverlässigkeitsstandards der Branche?


Er erfüllt die JEDEC JESD 47-Standardzulassung für die Gerätequalifizierung.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.