Infineon Gate-Treiber MOSFET 1.9 A 8-Pin SOIC 20V 35 ns

Dieser Gate-Treiber bietet eine Zweikanal-Steuerung für MOSFETs in Niederspannungs-Leistungsstufen und bietet schnelle Schaltfunktionen innerhalb eines Versorgungsbereichs von 10 V bis 20 V. Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und ist für industrielle Umgebungen vorgesehen, in denen extreme Temperaturen auftreten. Das Gerät unterstützt Anwendungen, die kontrollierte Anstiegs- und Abfallzeiten und einen moderaten Ausgangs-Antriebsstrom erfordern.

• 1,9 A Ausgangsstrom ermöglicht eine effektive Gate-Ladungsverarbeitung
• Abfallzeit von 35 ns reduziert Schaltverluste bei Abschaltung
• 40 ns Anstiegszeit verbessert die Steuerung des Einschaltübergangs
• Betrieb ab 10 V Minimum für Niederspannungsausführungen
• Die maximale Versorgung von 20 V ermöglicht höhere Gate-Antriebsspannungen
• Ausgelegt für maximal 125 °C für den Betrieb bei hohen Temperaturen

• Geeignet für die Ansteuerung von zwei MOSFET-Stufen in Leistungswandlern
• Wird mit Halbbrücken-Topologien verwendet, die abgestimmte Ausgänge erfordern
• Ideal für industrielle Schaltvorgänge, bei denen ein breiter Temperaturbereich wichtig ist
• Kann für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen verwendet werden
• Wird für Systeme verwendet, die einen 8-poligen SOIC-Formfaktor benötigen

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Es arbeitet bis zu -40 °C und bis zu 125 °C und ermöglicht so den Einsatz in rauen Umgebungen.

Er bietet zwei Ausgänge, die für die Ansteuerung von MOSFET-Gates in Zweikanal-Konfigurationen ausgelegt sind.

Das Gerät misst 1,75 mm in der Höhe und 8,74 mm in der Länge.

Es ist nicht spezifiziert für den Einsatz im Automobilstandard und darf nicht als konform angesehen werden.