Infineon Gate-Treiber MOSFET 1.9 A 8-Pin SOIC 20V 35 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6207
Herst. Teile-Nr.:: IRS2184STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 1.9 A 8-Pin SOIC 20V 35 ns

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RS Best.-Nr.:: 226-6207
Herst. Teile-Nr.:: IRS2184STRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	1.9A
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	35ns
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	40ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Maximale Versorgungsspannung	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Länge	8.74mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.99mm
	Serie	IRS
	Höhe	1.75mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 1.9A
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 35ns
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 40ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Maximale Versorgungsspannung 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Länge 8.74mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.99mm
	Serie IRS
	Höhe 1.75mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS2184STRPBF

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 1,9 A Ausgangsstrom – IRS2184STRPBF

Dieser Gate-Treiber bietet eine Zweikanal-Steuerung für MOSFETs in Niederspannungs-Leistungsstufen und bietet schnelle Schaltfunktionen innerhalb eines Versorgungsbereichs von 10 V bis 20 V. Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und ist für industrielle Umgebungen vorgesehen, in denen extreme Temperaturen auftreten. Das Gerät unterstützt Anwendungen, die kontrollierte Anstiegs- und Abfallzeiten und einen moderaten Ausgangs-Antriebsstrom erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 1,9 A Ausgangsstrom ermöglicht eine effektive Gate-Ladungsverarbeitung
• Abfallzeit von 35 ns reduziert Schaltverluste bei Abschaltung
• 40 ns Anstiegszeit verbessert die Steuerung des Einschaltübergangs
• Betrieb ab 10 V Minimum für Niederspannungsausführungen
• Die maximale Versorgung von 20 V ermöglicht höhere Gate-Antriebsspannungen
• Ausgelegt für maximal 125 °C für den Betrieb bei hohen Temperaturen

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Ansteuerung von zwei MOSFET-Stufen in Leistungswandlern
• Wird mit Halbbrücken-Topologien verwendet, die abgestimmte Ausgänge erfordern
• Ideal für industrielle Schaltvorgänge, bei denen ein breiter Temperaturbereich wichtig ist
• Kann für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen verwendet werden
• Wird für Systeme verwendet, die einen 8-poligen SOIC-Formfaktor benötigen

Welches Gehäuse und Montageformat wird verwendet?

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Welcher Temperaturbereich unterstützt den industriellen Einsatz?

Es arbeitet bis zu -40 °C und bis zu 125 °C und ermöglicht so den Einsatz in rauen Umgebungen.

Wie viele Ausgänge und welche Funktion erfüllen sie?

Er bietet zwei Ausgänge, die für die Ansteuerung von MOSFET-Gates in Zweikanal-Konfigurationen ausgelegt sind.

Welche Bauhöhe und -länge ist für das Leiterplatten-Layout zu berücksichtigen?

Das Gerät misst 1,75 mm in der Höhe und 8,74 mm in der Länge.

Ist sie für Automobilanwendungen geeignet?

Es ist nicht spezifiziert für den Einsatz im Automobilstandard und darf nicht als konform angesehen werden.