Infineon IRS21531DSTRPBF Gate-Treiber MOSFET 260 mA 8-Pin SOIC 625 V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6201
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21531DSTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6201
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21531DSTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 260mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 220ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 15.4V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 625V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | IRS | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 260mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 220ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 15.4V | ||
Maximale Versorgungsspannung 625V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie IRS | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IRS21531 basiert auf dem beliebten selbstoszillierenden Halbbrückentreiber-IC IR2153 mit einer Advanced Silicon-Plattform und verfügt über einen Hochspannungs-Halbbrückentorttreiber mit einem Front-End-Oszillator, ähnlich dem Industriestandard CMOS 555-Timer. HVIC- und Latch-Immune-CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Die Störfestigkeit wird mit niedriger di/dt Peak des Gate-Treibers erreicht.
Integrierte 600-V-Halbbrücken-Gate-Ansteuerung
"Programmierbarer CT-, RT-Oszillator
"Zenerklemme mit 15,4 V auf VCC
"Micropower Startup
"Nicht verriegelte Abschaltung auf CT-Stift
"Interner Bootstrap-FET
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