Infineon MOSFET MOSFET 1.8 A 8-Pin SOIC 625 V 20 ns

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RS Best.-Nr.:
258-3942
Herst. Teile-Nr.:
IR2183STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

1.8A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

20ns

Gehäusegröße

SOIC

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

40ns

Minimale Versorgungsspannung

-0.3V

Maximale Versorgungsspannung

625V

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

IR21xx

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Halbbrückentreiber von Infineon sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen Hoch- und Niederspannungs-Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 Volt betrieben wird.

Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 bis 20 V

Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle

Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik

Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle

Logik- und Leistungserdung +/- 5 V Offset.

Geringere Di/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit

Ausgangsquellen-/Sinkstromvermögen: 1,4 A/1,8 A

Auch bleifrei erhältlich

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