Infineon IR2183STRPBF MOSFET MOSFET 1.8 A 8-Pin SOIC 625 V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-3943
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2183STRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3943
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2183STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 1.8A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 625V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IR21xx | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 1.8A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 625V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IR21xx | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Halbbrückentreiber von Infineon sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen Hoch- und Niederspannungs-Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 Volt betrieben wird.
Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Logik- und Leistungserdung +/- 5 V Offset.
Geringere Di/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit
Ausgangsquellen-/Sinkstromvermögen: 1,4 A/1,8 A
Auch bleifrei erhältlich
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