Infineon Gate-Treiber MOSFET 200 mA 8-Pin SOIC 20V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6212
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2301STRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 226-6212
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- IRS2301STRPBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 200mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 220ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Breite | 3.99mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.98mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 200mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 220ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS | ||
Breite 3.99mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.98mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 5 V Mindestversorgungsspannung, 200 mA Ausgangsstrom – IRS2301STRPBF
Dieser Gate-Treiber bietet eine Zweikanal-MOSFET-Steuerung für Niederspannungs-Schaltsysteme, nimmt Versorgungsspannungen von 5 V bis 20 V auf und ist für die Oberflächenmontage in einem SOIC-Gehäuse ausgelegt. Er ist für Umgebungen vorgesehen, die einen moderaten Ausgangsantrieb und eine zuverlässige Impulsformung erfordern, und arbeitet über einen erweiterten industriellen Temperaturbereich.
Merkmale und Vorteile:
• Zwei Ausgänge bieten unabhängige MOSFET-Steuerung mit 200-mA-Antrieb
• Die Anstiegszeit von 220 ns reduziert die Schaltübergangsdauer
• Die Fallzeit von 80 ns gewährleistet ein schnelleres Abschaltverhalten
• Die 8-polige SOIC-Oberflächenmontage vereinfacht die Platzierung auf der Leiterplatte
• Ausgelegt für maximal 150 °C für den Betrieb bei hohen Temperaturen
• Die Anstiegszeit von 220 ns reduziert die Schaltübergangsdauer
• Die Fallzeit von 80 ns gewährleistet ein schnelleres Abschaltverhalten
• Die 8-polige SOIC-Oberflächenmontage vereinfacht die Platzierung auf der Leiterplatte
• Ausgelegt für maximal 150 °C für den Betrieb bei hohen Temperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs in Motorsteuerungsstufen
• Ideal für Gate-Antriebe in DC/DC-Wandlern
• Wird mit Niederspannungs-Logikpegelversorgungen in Steuerungssystemen verwendet
• Kann für Schaltnetzteile verwendet werden, die zwei Antriebe erfordern
• Wird für industrielle Schaltkreise verwendet, die über breite Temperaturen betrieben werden
• Ideal für Gate-Antriebe in DC/DC-Wandlern
• Wird mit Niederspannungs-Logikpegelversorgungen in Steuerungssystemen verwendet
• Kann für Schaltnetzteile verwendet werden, die zwei Antriebe erfordern
• Wird für industrielle Schaltkreise verwendet, die über breite Temperaturen betrieben werden
Welchen Versorgungsspannungsbereich verträgt er?
Es arbeitet mit einer Spannung von mindestens 5 V bis maximal 20 V.
Wie viel Strom kann jede Ausgangsquelle oder -senke liefern?
Jeder Kanal bietet eine Ausgangsstromkapazität von 200 mA.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Das Gerät ist in einem 8-poligen SOIC untergebracht und eignet sich für die Oberflächenmontage.
Welchen extremen Temperaturen kann es standhalten?
Die Komponente funktioniert bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von -40 °C und bis zu 150 °C.
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