Infineon MOSFET MOSFET 9 A 2 8-Pin DSO 15 V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 233-3473P
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3122MC12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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| 20 - 48 | CHF.2.00 |
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| 100 - 198 | CHF.1.757 |
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- RS Best.-Nr.:
- 233-3473P
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3122MC12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 30ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Serie | 1ED3122MC12H | |
| Länge | 7.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 30ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 2.65mm | ||
Serie 1ED3122MC12H | ||
Länge 7.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 1ED3122 bietet einen separaten Senke- und Quellausgang, genaue und stabile Zeitsteuerung, aktive Abschaltung, um einen sicheren IGBT-Aus-Zustand zu gewährleisten, falls der Ausgangschip nicht an die Stromversorgung angeschlossen ist, Kurzschluss-Klemmung zur Begrenzung der Gate-Spannung während eines Kurzschlusses. Der Treiber kann über einen großen Versorgungsspannungsbereich betrieben werden, entweder unipolar oder bipolar. Er hat einen Ausgangsstrom von 9 A.
Integrierte Filter reduzieren den Bedarf an externen Filtern
Enge Ausbreitungsverzögerung ermöglicht minimale Totzeit, was die Systemeffizienz verbessert und harmonische Verzerrung verringert
Hohe Isolierungsfähigkeit