Infineon Gate-Treiber MOSFET 13.5 A 2 8-Pin DSO 17V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 233-3476
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3123MC12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 233-3476
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3123MC12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 13.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 30ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.1V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | 1ED3123MC12H | |
| Breite | 6.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 7.5mm | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 13.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 30ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.1V | ||
Maximale Versorgungsspannung 17V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie 1ED3123MC12H | ||
Breite 6.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 7.5mm | ||
Höhe 2.65mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der Serie 1ED3123MC12H von Infineon, 13,5 A Ausgangsstrom, 3,1 V Mindestversorgungsspannung – 1ED3123MC12HXUMA1
Dieser Gate-Treiber ist ein MOSFET-Treiber mit zwei Ausgängen, der zur Steuerung von Leistungstransistoren in Niederspannungsanlagen entwickelt wurde, über einen breiten Versorgungsbereich arbeitet und für die Oberflächenmontage geeignet ist. Er bietet schnelle Schaltfunktionen für zwei Kanäle und unterstützt Anwendungen, die präzise Antriebssignale und einen stabilen Betrieb über einen breiten Temperaturbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Zweikanal-Ausgang liefert unabhängigen Antrieb für zwei MOSFETs
• 13,5 A Spitzen-Ausgangsstrom ermöglicht Hochstrom-Transistorschaltung
• Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 3,1 V bis 17 V für eine flexible Systemintegration
• Anstiegs- und Abfallzeiten von 30 ns minimieren Schaltverluste und Übergangszeit
• Ausgelegt für 125 °C für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen
• 8-poliges DSO-Gehäuse unterstützt kompakte Oberflächenmontage
• 13,5 A Spitzen-Ausgangsstrom ermöglicht Hochstrom-Transistorschaltung
• Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 3,1 V bis 17 V für eine flexible Systemintegration
• Anstiegs- und Abfallzeiten von 30 ns minimieren Schaltverluste und Übergangszeit
• Ausgelegt für 125 °C für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen
• 8-poliges DSO-Gehäuse unterstützt kompakte Oberflächenmontage
Anwendungen
• Geeignet für Motorsteuerungs-Wechselrichter-Gate-Stufen
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Gate-Steuerung
• Wird mit Halbbrücken-Leistungsstufen in DC/DC-Wandlern verwendet
• Kann zur Gate-Ansteuerung in LED-Treiber-Schaltkreisen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromschaltungen in industriellen Leistungsmodulen
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Gate-Steuerung
• Wird mit Halbbrücken-Leistungsstufen in DC/DC-Wandlern verwendet
• Kann zur Gate-Ansteuerung in LED-Treiber-Schaltkreisen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromschaltungen in industriellen Leistungsmodulen
Welcher Versorgungsbereich ist für die Ansteuerung des Geräts erforderlich?
Der Treiber funktioniert von einem Minimum von 3,1 V bis zu einem Maximum von 17 V und ermöglicht den Einsatz in Niederspannungs- und Mittelspannungs-Steuerschienen.
Wie viele Ausgänge können gesteuert werden und wie hoch ist die Strombelastbarkeit?
Es gibt zwei unabhängige Ausgänge, die jeweils Spitzenströme von bis zu 13,5 A für die Ansteuerung von Leistungstransistoren liefern oder ableiten können.
Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Platzierung auf einer Leiterplatte aus?
Die Komponente ist für den Betrieb bei bis zu 125 °C ausgelegt, sodass das Platinenlayout eine ausreichende Kupferfläche und eine thermische Entlastung bieten sollte, um die Verlustleistung bei hohen Sperrschichttemperaturen zu bewältigen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem 8-poligen DSO-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um kompakte Leiterplatten-Designs zu unterstützen.
Welche Schaltgeschwindigkeit kann bei Übergängen erwartet werden?
Die Anstiegs- und Abfallzeiten sind auf 30 ns angegeben und ermöglichen schnelle Übergänge, die für effiziente Hochfrequenzschaltvorgänge geeignet sind.
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