Infineon Gate-Treiber MOSFET 9 A 2 8-Pin DSO 17V 30 ns

RS Best.-Nr.:: 233-3472
Herst. Teile-Nr.:: 1ED3122MC12HXUMA1
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 9 A 2 8-Pin DSO 17V 30 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 233-3472
Herst. Teile-Nr.:: 1ED3122MC12HXUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	9A
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	DSO
	Abfallzeit	30ns
	Anzahl der Ausgänge	2
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anstiegszeit	30ns
	Minimale Versorgungsspannung	3.1V
	Maximale Versorgungsspannung	17V
	Anzahl der Treiber	2
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Serie	1ED3122MC12H
	Höhe	2.65mm
	Länge	7.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.4mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 9A
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße DSO
	Abfallzeit 30ns
	Anzahl der Ausgänge 2
	Treiber-Typ MOSFET
	Anstiegszeit 30ns
	Minimale Versorgungsspannung 3.1V
	Maximale Versorgungsspannung 17V
	Anzahl der Treiber 2
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Serie 1ED3122MC12H
	Höhe 2.65mm
	Länge 7.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.4mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - 1ED3122MC12HXUMA1

Gate-Treiber der Serie 1ED3122MC12H von Infineon, 9 A Ausgangsstrom, 3,1 V Mindestversorgungsspannung – 1ED3122MC12HXUMA1

Dieser Gate-Treiber ist ein Zweikanal-MOSFET-Treiber, der die Steuerung auf Logikpegel in Hochstromausgänge für Schaltanwendungen umwandelt. Er arbeitet über einen niedrigen bis mittleren Versorgungsbereich und wird in einem oberflächenmontierten DSO-Gehäuse geliefert, das für kompakte elektronische Baugruppen geeignet ist. Das Gerät ist für Umgebungen vorgesehen, die eine kontrollierte Schaltgeschwindigkeit und eine zuverlässige thermische Beständigkeit innerhalb eines erweiterten Betriebstemperaturbereichs erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ausgangsstrom von 9 A sorgt für einen starken Antrieb für Leistungs-MOSFET-Gates
• Die minimale Versorgung von 3,1 V ermöglicht den Betrieb von Niederspannungs-Logikschienen
• Die maximale Versorgung von 17 V unterstützt vielfältige Gate-Spannungsanforderungen
• Anstiegs- und Abfallzeiten von 30 ns reduzieren Schaltverluste und Verzerrungen
• Zwei Ausgänge ermöglichen eine unabhängige oder komplementäre Gate-Steuerung
• Das oberflächenmontierbare 8-polige Gehäuse erleichtert die automatisierte Leiterplattenmontage

Anwendungsbereich

• Geeignet für Implementierungen in der Gate-Stufe des Motorantriebs
• Ideal für DC/DC-Wandler-MOSFET-Antriebsschaltkreise
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Leistungsstufen verwendet
• Kann für industrielle Schaltmodule verwendet werden, die über einen breiten Temperaturbereich arbeiten
• Wird für kompakte Leistungselektronik verwendet, bei der der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist

Welcher thermische Bereich kann rauen Betriebsbedingungen standhalten?

Er ist für den Betrieb zwischen -40 °C und 125 °C ausgelegt und bietet eine erweiterte thermische Leistungsfähigkeit.

Welche Gehäuseabmessungen beeinflussen das Design des Leiterplatten-Musterdesigns?

Die Komponente wird in einem DSO-Gehäuse mit einer Breite von 6,4 mm, einer Länge von 7,5 mm und einer Höhe von 2,65 mm geliefert.

Wie viele Gate-Ausgänge sind für die Flexibilität der Topologie verfügbar?

Das Gerät enthält zwei Ausgänge, die eine zweikanalige Gate-Ansteuerungsanordnung ermöglichen.

Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?

Sie ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten-Baugruppen vorgesehen.