Infineon Gate-Treiber MOSFET 9 A 2 8-Pin DSO 17V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 233-3473
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3122MC12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3122MC12HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 30ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.1V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 6.4mm | |
| Serie | 1ED3122MC12H | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 7.5mm | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 30ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.1V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 17V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 6.4mm | ||
Serie 1ED3122MC12H | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 7.5mm | ||
Höhe 2.65mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der Serie 1ED3122MC12H von Infineon, 9 A Ausgangsstrom, 3,1 V Mindestversorgungsspannung – 1ED3122MC12HXUMA1
Dieser Gate-Treiber ist ein Zweikanal-MOSFET-Treiber, der die Steuerung auf Logikpegel in Hochstromausgänge für Schaltanwendungen umwandelt. Er arbeitet über einen niedrigen bis mittleren Versorgungsbereich und wird in einem oberflächenmontierten DSO-Gehäuse geliefert, das für kompakte elektronische Baugruppen geeignet ist. Das Gerät ist für Umgebungen vorgesehen, die eine kontrollierte Schaltgeschwindigkeit und eine zuverlässige thermische Beständigkeit innerhalb eines erweiterten Betriebstemperaturbereichs erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ausgangsstrom von 9 A sorgt für einen starken Antrieb für Leistungs-MOSFET-Gates
• Die minimale Versorgung von 3,1 V ermöglicht den Betrieb von Niederspannungs-Logikschienen
• Die maximale Versorgung von 17 V unterstützt vielfältige Gate-Spannungsanforderungen
• Anstiegs- und Abfallzeiten von 30 ns reduzieren Schaltverluste und Verzerrungen
• Zwei Ausgänge ermöglichen eine unabhängige oder komplementäre Gate-Steuerung
• Das oberflächenmontierbare 8-polige Gehäuse erleichtert die automatisierte Leiterplattenmontage
• Die minimale Versorgung von 3,1 V ermöglicht den Betrieb von Niederspannungs-Logikschienen
• Die maximale Versorgung von 17 V unterstützt vielfältige Gate-Spannungsanforderungen
• Anstiegs- und Abfallzeiten von 30 ns reduzieren Schaltverluste und Verzerrungen
• Zwei Ausgänge ermöglichen eine unabhängige oder komplementäre Gate-Steuerung
• Das oberflächenmontierbare 8-polige Gehäuse erleichtert die automatisierte Leiterplattenmontage
Anwendungsbereich
• Geeignet für Implementierungen in der Gate-Stufe des Motorantriebs
• Ideal für DC/DC-Wandler-MOSFET-Antriebsschaltkreise
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Leistungsstufen verwendet
• Kann für industrielle Schaltmodule verwendet werden, die über einen breiten Temperaturbereich arbeiten
• Wird für kompakte Leistungselektronik verwendet, bei der der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist
• Ideal für DC/DC-Wandler-MOSFET-Antriebsschaltkreise
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Leistungsstufen verwendet
• Kann für industrielle Schaltmodule verwendet werden, die über einen breiten Temperaturbereich arbeiten
• Wird für kompakte Leistungselektronik verwendet, bei der der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist
Welcher thermische Bereich kann rauen Betriebsbedingungen standhalten?
Er ist für den Betrieb zwischen -40 °C und 125 °C ausgelegt und bietet eine erweiterte thermische Leistungsfähigkeit.
Welche Gehäuseabmessungen beeinflussen das Design des Leiterplatten-Musterdesigns?
Die Komponente wird in einem DSO-Gehäuse mit einer Breite von 6,4 mm, einer Länge von 7,5 mm und einer Höhe von 2,65 mm geliefert.
Wie viele Gate-Ausgänge sind für die Flexibilität der Topologie verfügbar?
Das Gerät enthält zwei Ausgänge, die eine zweikanalige Gate-Ansteuerungsanordnung ermöglichen.
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Sie ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten-Baugruppen vorgesehen.
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