Infineon Gate-Treiber MOSFET 5.4 A 8-Pin PG-DSO-8 15V 9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 234-8939
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB7275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 1.515 | CHF 7.60 |
| 25 - 45 | CHF 1.303 | CHF 6.54 |
| 50 - 120 | CHF 1.232 | CHF 6.16 |
| 125 - 245 | CHF 1.141 | CHF 5.70 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-8939
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB7275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 5.4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Abfallzeit | 9ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 16ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | 1ED | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 5.4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Abfallzeit 9ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 16ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie 1ED | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Gate-Treiber der Serie 1ED von Infineon, 3 V Mindestversorgungsspannung, 5,4 A Ausgangsstrom – 1EDB7275FXUMA1
Dieser Gate-Treiber bietet eine Niederspannungs-MOSFET-Gate-Steuerung für industrielle und Kfz-Leistungsstufen. Er arbeitet mit einer geringen Versorgung und bietet eine hohe Antriebsfähigkeit zum schnellen Schalten von Transistoren, während er in einem breiten Umgebungstemperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen funktioniert.
Merkmale und Vorteile:
• Die minimale Versorgungsspannung von 3 V ermöglicht die Kompatibilität mit Niederspannungsanlagen
• Der Ausgangsstrom von 5,4 A liefert eine hohe Gate-Ladung effizient
• Die maximale Versorgungsspannung von 15 V ermöglicht eine erhebliche Gate-Antriebsamplitude
• Anstiegszeit 16 ns unterstützt schnelle Einschaltübergänge
• Die Fallzeit von 9 ns gewährleistet ein schnelles Abschaltverhalten
• Oberflächenmontiertes PG-DSO-8-Gehäuse für kompakte Leiterplattenlayouts
• Der Ausgangsstrom von 5,4 A liefert eine hohe Gate-Ladung effizient
• Die maximale Versorgungsspannung von 15 V ermöglicht eine erhebliche Gate-Antriebsamplitude
• Anstiegszeit 16 ns unterstützt schnelle Einschaltübergänge
• Die Fallzeit von 9 ns gewährleistet ein schnelles Abschaltverhalten
• Oberflächenmontiertes PG-DSO-8-Gehäuse für kompakte Leiterplattenlayouts
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs in DC/DC-Wandlern
• Ideal für Leistungsmanagementmodule im Automobilbereich
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Transistorstufen verwendet
• Kann für die Gate-Steuerung von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen in kompakter Elektronik
• Ideal für Leistungsmanagementmodule im Automobilbereich
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Transistorstufen verwendet
• Kann für die Gate-Steuerung von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen in kompakter Elektronik
In welchem Temperaturbereich kann dieses Gerät betrieben werden?
Es funktioniert zwischen -40 °C und 125 °C, um erhöhten und niedrigen Umgebungsbedingungen gerecht zu werden.
Entspricht das Gerät den Zuverlässigkeitsstandards der Automobilindustrie?
Er erfüllt die AEC-Q100-Kriterien für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik.
Welche Montageart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Das Gehäuse ist für die Oberflächenmontage im PG-DSO-8-Format konzipiert.
Gibt es Umweltaspekte, die für die Entsorgung oder Verwendung konform sind?
Das Gerät ist RoHS-konform und zeigt eingeschränkten Gehalt an gefährlichen Stoffen an.
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